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      張飛軟硬開源基于STM32 BLDC直流無刷電機驅動器開發視頻套件,??戳此立搶??

      臺積電最新技術分享,不再是單純的晶圓代工廠

      章鷹 ? 2019-05-05 10:23 ? 次閱讀

      臺積電成立于1987年,自1994年以來一直舉辦年度技術研討會,今年是臺積電成立25周年(圣克拉拉會議中心普遍強調這一點)。臺積電北美總裁兼首席執行官Dave Keller表示:“第一屆硅谷研討會的與會者不足100人,而現在,出席人數已超過2000人?!?/p>

      供公司發展總監Cheng-MIng Liu博士介紹了臺積電汽車客戶的獨特需求,特別是在更長的產品生命周期內的持續供應。他表示:

      “我們對“舊”的工藝流程的承諾是堅定不移的。我們從未關閉過一家工廠,也從未關閉過一項工藝技術?!?/p>

      研究與開發/技術開發高級副總裁Y.-J.Mii博士著重介紹了工藝技術發展的三個時代,如下圖所示:

      在第一階段,Dennard Scaling是指在后續的工藝節點中,將FEOL線性光刻尺寸按“s”(s < 1)的比率進行微縮,實現電路密度(1 / s^2)的提高(量度為gates / mm^2),下一階段的重點是材料的改進,而當前階段的重點是設計—技術的協同優化(馬上有更多介紹)。

      在隨后的研討會上,集成互連和封裝研發副總裁DougYu博士介紹了先進封裝技術如何專注于微縮,盡管持續時間較短。 “十多年來,封裝還提供了再分布層(RDL)和凸點間距光刻的二維改進。借助我們今天所描述的多芯片、3D垂直堆疊封裝技術——特別是臺積電的SoIC產品,我們在電路密度方面取得了巨大的改善。S等于零?;蛘邠Q句話說,我們實現了無限微縮。(實際上,很容易預見到產品技術將開始使用gates / mm^3進行度量。)

      臺積電先進工藝技術現狀的簡要介紹

      (一)N7/N7+(7nm/7nm+)

      臺積電在兩年前的研討會上宣布了N7和N7 +工藝節點。

      N7是“基線”的FinFET工藝,而N7+通過引入EUV光刻技術,為選定的FEOL層提供了更好的電路密度。設計IP從N7過渡到N7+需要重新部署,以實現1.2倍的邏輯門密度提高。主要亮點包括:

      • N7正在投產,2019年預計將有100多種新的流片(NTO)。
      • 關鍵IP介紹:112Gbps PAM4 SerDes。
      • N7+受益于持續的EUV輸出功率(~280W)和uptime(~85%)的改善。臺積電表示:“雖然我們預計功率和uptime會進一步改善,但這些措施足以推動N7 +容量增長?!?/li>
      • 臺積電專注于減少N7的缺陷密度(D0)。根據臺積電的說法,“在初始產量增加后,D0改進斜坡的速度比以前的節點快?!?/li>
      • 臺積電展示了N7芯片尺寸的分裂:移動客戶<100 mm^2,HPC客戶>300 mm^2。
      • 據我所知,臺積電還首次表示他們正專門為“大型芯片”追蹤D0,并報告說與其他N7產品相比,大型設計相對減少了學習。
      • N7+將于2009年下半年產量上升,并表現出與N7相當的D0缺陷率。

      (二)讓5G成為現實

      臺積電邀請高通首席技術官Jim ThoMPSon介紹了他對N7的看法——這是一次非常有啟發性的演講:

      • “N7是5G的推動者,如我們最新的SnapDragon855版本所示?!?/li>
      • “具有256個天線單元的5G MIMO支持64個同步數字流(simultaneous digital streAMS),即16個用戶每個用戶在一部電話上接收4個數據流?!?/li>
      • “天線設計對于5G來說確實非常關鍵,可以克服路徑損耗和信號阻塞。人們正在尋求新的、創新的天線實施方案——歸根結底,這只是數學問題,盡管肯定是復雜的數學問題?!?/li>
      • “對于5G的采用率,肯定有很多人持懷疑態度。然而,5G的傳輸速度比4G快得多。在推出計劃中,只有5家運營商和3臺OEM設備支持4G,大部分在美國和韓國。目前,有超過20家運營商和20多家OEM設備專注于5G部署,包括歐洲、中國、日本和東南亞?!?/li>
      • “此外,不要忽視5G在消費類手機以外的應用中的部署,例如無線工廠自動化。與工業機器人的通信需要高帶寬、低延遲和極高的可用性??紤]一下5G帶來的在無線環境下制造靈活性的機會?!?/li>

      (三)N6(6nm)

      臺積電推出了一款新節點產品,名為N6。此節點具有一些非常獨特的特性:

      • 與N7兼容的設計規則(例如,57 mm M1 PItch,與N7相同)
      • 與N7兼容的IP模型
      • 為有限的FEOL層提供EUV光刻,“比N7+多1個EUV層,充分利用了N7+和N5的學習經驗”
      • 更嚴格的工藝控制,比N7更快的cycle time
      • 同樣的EDA參考流程、填充算法等,與N7相同
      • N7設計可以簡單地“重新流片”(re-tapeout,RTO)到N6,以提高EUV掩模光刻的產量
      • 或者,N7設計可以通過使用N6標準單元庫(H240)重新部署邏輯塊來提交新的流片(NTO),該庫利用單元之間的“公共PODE”(CPODE)設備將邏輯塊密度提高~18%。
      • 2020年第一季度開始風險生產(圖示為13級金屬互連堆棧)
      • 盡管設計規則與N7兼容,但N6還引入了一個非常獨特的功能“M0路由”。

      下圖說明了“典型”FinFET器件layout,其中M0僅用作局部互連,用于連接multi-fin器件的源極或漏極節點,并在單元內用于連接通用nFET和pFET原理圖節點。

      我需要更多地思考使用M0作為路由層的機會,臺積電表示EDA路由器對此功能的支持仍然是合格的。

      在我看來,N6是臺積電引入“半節點”流程路線圖的延續,如下圖所示。

      半節點工藝既是工程驅動的決策,也是業務驅動的決策,目的是提供低風險的設計遷移路徑,為現有N7設計提供一個降低成本的選項,作為一個“mid-life kicker”。

      N6的引入也凸顯了一個問題,這個問題將變得越來越棘手。集成外部IP的設計的遷移取決于IP提供商的工程和財政資源,以便按照適當的時間表在新節點上開發、發布(在測試站點上)、表征IP并對其進行鑒定。N6提供了在不受外部IP釋放約束的情況下引入kicker的機會。

      (四)N5(5nm)

      工藝節點N5合并了額外的EUV光刻,以減少需要大量多重曝光處理的圖層的掩模數。

      • 風險生產于19年3月開始,高產量增長將在2020年第二季度臺南Gigafab 18完成(19年3月完成的第1階段設備安裝)
      • 旨在同時支持移動和高性能計算“平臺”客戶;高性能應用程序將希望使用新的“超低Vt”(ELVT)器件
      • 1.5V或1.2V I / O器件支持
      • 計劃提供N5P(“PLUS”)產品,在恒定功率下可提高+7%的性能,或在恒定perf 下比N5降低約15%的功率(N5后一年)
      • N5將使用高移動性(Ge)器件溝道

      先進材料工程

      除了N5推出高移動性溝道外,臺積電還強調了其他材料和器件工程更新:

      • 超高密度MIM產品(N5),具有2X ff/um*2和2X插入密度
      • 新型低K介電材料
      • 金屬反應離子蝕刻(RIE),取代 Cu damascene,實現金屬間距<30um
      • 石墨烯“cap”,降低Cu互連電阻

      改進的局部MIM電容將有助于解決由于較高的柵極密度而增加的電流。臺積電指出,高性能(高開關活動)設計可實現預期的個位數性能提升。

      節點16FFC和12FFC都得到了器件工程改進:

      • 16FFC+ :與16FFC相比,+10% perf @恒功率,+20%POWER@恒定perf
      • 12FFC+ :與12FFC相比,+7% perf @恒功率,+15% POWER@恒定 perf

      這些節點的NTO將在2019年第三季度被接受。

      臺積電還簡要介紹了正在進行的未來節點材料研究的研發活動, 例如,Ge nanowire/nanoslab器件溝道,2D半導體材料(Zrse2,MoSe2),請見下圖(來源:臺積電)。

      Fab運營高級副總裁j.k Wang博士詳細討論了正在進行的降低DPPM和保持“卓越制造”的努力。特別值得注意的是為滿足汽車客戶苛刻的可靠性要求而采取的步驟。Wang博士演講的重點包括:

      “自引入N16節點以來,我們在頭6個月加快了每個節點的產能提升速度。2019年N7的產能將超過每年100萬塊12英寸晶圓。自2017年以來,隨著Gigafab 15的第5至7階段已經投產,N10/N7產能增長了兩倍?!?/p>

      “我們實施了積極的統計過程控制(在控制晶圓現場進行測量),以便及早發現、停止和修復過程的變化,例如基線測量的向上/向下偏移、方差偏移、工具之間的不匹配。我們建立了二維晶圓剖面測量標準,并對每個晶圓的‘驗收’剖面進行在線監測和比較?!?/p>

      “N7的DDM降低率是所有節點中最快的?!?/strong>

      “對于汽車客戶,我們實施了獨特的措施,以實現苛刻的DPPM要求。我們會把壞區域中的好芯片標記出來。而且邊際批次會有SPC標準,它們會被廢棄?!?/p>

      “我們將支持特定于產品的規格上限和下限標準。我們將報廢超出規格限制的晶圓,或保留整批晶圓進行客戶的風險評估?!保ㄒ娤聢D。資料來源:臺積電)

      臺積電的不同技術平臺

      臺積電開發了一種針對流程開發和設計支持功能的方法,主要關注四個平臺——移動、HPC、物聯網和汽車。汽車事業部總監Cheng-Min Lin博士介紹了該平臺的最新情況,以及汽車客戶的獨特特點。

      (一)汽車平臺

      Lin博士指出:“汽車系統既需要先進的ADAS邏輯技術,如N16FFC,也需要先進的V2X通信射頻技術。盡管從現在到2022年,汽車的復合年均增長率預計僅為1.8%,但半導體內容的復合年均增長率將為6.9%。

      他繼續說:“L1/L2功能的使用率將達到30%左右,額外的mcu應用于安全、連接,以及電動/混合電動汽車功能。每輛車大約有30-40個單片機?!保ㄔ谒膱D表中,預測L3/L4/L5的使用率在2020年約為0.3%,2025年為2.5%。)

      “數字儀表板駕駛艙可視化系統的采用率也將提高,進一步推動半導體增長,2018年為0.2%,2025年達到11%?!?/p>

      L2+

      SAE International將自動駕駛輔助和最終自動駕駛的支持水平定義為“1級至5級”。也許是因為認識到實現L3到L5的困難,因此提出了一個新的“L2+”級別(盡管在SAE之外),帶有附加的攝像機和決策支持功能。

      “L2+型汽車通常會集成6個攝像頭、4個短程雷達系統和1個遠程雷達單元,需要超過50GFLOPS圖形處理和>10K DMIPS導航處理吞吐量?!?/strong>

      N16FFC,然后是N7

      16FFC平臺已通過汽車環境應用認證,例如SPICE和老化模型,基礎IP特性,非易失性存儲器,接口IP。N7平臺將于2020年通過(AEC-Q100和ASIL-B)認證。Lin博士表示:“汽車客戶往往落后消費者采用約2~3年來利用DPPM學習,盡管這一間隔正在縮短。我們預計N7汽車將在2021年被廣泛采用?!?/p>

      “臺積電射頻CMOS產品將用于SRR、LRR和LIDAR。16FFC-RF增強型工藝將在2020年2季度符合合汽車平臺的要求?!?/p>

      (二)物聯網平臺

      臺積電物聯網平臺專注于低成本,低(有源)功耗和低泄漏(待機)功耗。物聯網業務開發總監Simon Wang博士提供了以下最新信息:

      工藝流程路線圖

      • 55ULP, 40ULP (w/RRam): 0.75V/0.7V
      • 22ULP, 22ULL: 0.6V
      • 12FFC+_ULL: 0.5V (目標)
      • 為22ULL節點引入新器件:EHVT器件,超低泄漏SRAM
      22ULL SRAM是一種“雙VDD rAIl”設計,具有獨立的邏輯(0.6V,SVT+HVT)和bitcell VDD_min(0.8V)值,可實現最佳待機功耗。
      22ULL節點還獲得非易失性存儲器的MRAM選項。

      請注意,一種新的方法將被應用于低VDD設計的靜態時序分析?;陔A段的OCV(降階乘法器,derating multiplier)單元延遲計算將使用自由變異格式(LVF)過渡到sign-off。

      下一代物聯網節點將是12FFC+_ULL,風險生產將在2020年第二季度開始。(具有SVT低VDD標準單元, 0.5V VDD)

      (三)射頻

      臺積電強調了RF技術的過程開發重點,作為5G和汽車應用增長的一部分。RF和模擬業務開發總監Jay Sun博士重點介紹了以下要點:

      • 對于RF系統收發器,22ULP / ULL-RF是主流節點。對于更高端的應用,16FFC-RF是合適的,其次是2020年下半年的N7-RF。
      • 重要的器件研發正在研發,以增強這些節點的器件ft和fmax,期待2020年的16FFC-RF-Enhanced(fmax> 380GHz)和2021年的N7-RF-Enhanced。
      • 新的頂級BEOL堆疊選項可用于“升高”的超厚金屬,用于電感器,使之具有更高的Q值。
      • 對于低于6GHz的RF前端設計,臺積電將于2019年推出N40SOI——從0.18微米SOI過渡到0.13微米SOI,再過渡到N40SOI,以此提供ft和fmax大幅改進的器件。

      先進封裝方面的表現

      從研討會我們可以看得出,臺積電顯然已從一家“純”晶圓級代工廠轉型為復雜集成系統模塊的供應商——或者根據臺積電CEO C.C.Wei的說法,臺積電是“大規模納米生產創新”的領先供應商。這是多年研發投資的成果,例如,請參閱下文“SoIC”部分中關于3D堆疊的討論。

      集成互連和封裝研發副總裁Doug Yu博士提供了詳細的最新信息。Yu博士將封裝技術分為獨特的類別——“前端”3D芯片集成(SoIC)和“后端”封裝進展(CoWoS, InFO)。此外,他還介紹了焊盤間距和 Cu pillar/ SnAg凸點光刻技術的進展,特別提到了汽車級可靠性要求。

      (1)凸點(Bumping)技術

      臺積電繼續推進凸點技術,可實現60-80um的凸點間距(適用于較小的芯片)。

      (2)CoWos

      臺積電最初的2.5D封裝產品是chip-on-wAFEr-on-substrate(CoWoS),它通過使內存“更接近處理器”,實現了非常高性能的系統集成。

      ? > 50種客戶產品

      ? 臺積電正在開發“標準化”配置,例如,從具有2個或4個HBM的1個SoC,演變為具有8個HBM2E的2個以上SoC(96GB @ 2.5TB /秒)

      相應地,臺積電將把最大2.5D中介層占用空間從1X光罩(~50x50)擴展到3X(~85x85),具有150um的凸點間距。

      ? 硅中介層支持5個金屬層和(新)深溝道電容——請參見下圖。

      (3)InFo

      臺積電繼續發展集成FanOut(InFO)封裝產品?;叵胍幌?,InFO是使用“重組晶圓”成型化合物集成(多個)芯片的手段,以提供用于RDL圖案化的封裝襯底。InFO以傳統的小封裝WLCSP技術為基礎,以實現(大面積)重分布互連和高凸點數——請參見下圖。

      InFO-PoP支持在基極頂部堆疊邏輯芯片和dram芯片,使用through-InFO-vias(TIV)將DRAM連接到金屬層。InFO-PoP開發的重點是改善TIV的間距和縱橫比(垂直面與直徑)。

      InFO-on-Substrate產品將(多芯片)InFO模塊連接到(大面積)基板,充分利用為CoWoS開發的多光罩綁結技術(multiple reticle stitching technology)。

      (4)SoIC(“前端”3D集成)

      研討會關于封裝的重要公告是介紹了“前端”3D芯片堆疊拓撲,稱為SoIC(System-on-Integrated Chips集成系統芯片)。

      SoIC是一種多芯片之間的“無凸點”互連方法。如下圖所示(來自臺積電早期的一篇研發論文),來自基模的Cu焊盤和來自(變薄的)頂部芯片的裸露的Cu“nails”利用熱壓結合來提供電氣連接。(在 die-to-die接口也存在合適的底部填充材料。)

      ? 芯片中的硅通孔提供連接,間距非常緊湊。

      ? 支持face-to-face和face-to-back芯片連接。 “已知良好”的堆疊芯片可以是不同的尺寸,在堆疊層上具有多個芯片。

      ? 臺積電展示了一個3高垂直SoIC 堆疊(3-high vertical SoIC stack)實體模型。

      ? EDA支持可用:物理設計(DRC、網絡列表/LVS)、寄生提取、時序、IR/EM分析、信號完整性/功率完整性分析、熱/材料應力分析。

      ? SOIC封裝產品的資格目標是2019年。(我從單獨的臺積電公告中了解到,SoIC的將在2021年量產。)

      總結

      幾年前,有人半猜測半開玩笑說,“只有7個客戶能負擔得起7nm設計,只有5個客戶能負擔得起5nm”。

      顯然,N7/N6和N5在移動通信、HPC和汽車(L1-L5)應用中的發展勢頭打消了這種想法。臺積電正通過DTCO大力投資這些節點,充分利用EUV光刻領域的重大進展和新材料的引入。

      另外,我們也看到,除了傳統的晶圓代工以外,臺積電的2.5D和InFO“后端”封裝產品都在不斷發展,重點是推出SoIC拓撲結構的緊密間距Cu壓接全3D堆疊芯片??捎玫碾娐访芏龋╩m ^3)將非常吸引人。然而,利用這項技術的挑戰相當大,從系統架構分區到堆疊芯片接口的復雜電氣/熱/機械分析,全都包括在內。

      摩爾定律絕對具有活力,盡管需要戴上3D眼鏡才能看到。

      本文來自半導體觀察翻譯的semiwik的文章,作者Tom Dillinger. 本文作為轉載分享。

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      的頭像 章鷹 發表于 05-13 08:30 ? 666次 閱讀
      專家意見:半導體產業還有三場硬仗要打

      3nm!緊逼臺積電,三星挑戰摩爾定律極限

      三星也在加大先進工藝的追趕,目前的路線圖已經到了3nm工藝節點,下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線....
      的頭像 芯智訊 發表于 05-12 11:50 ? 1143次 閱讀
      3nm!緊逼臺積電,三星挑戰摩爾定律極限

      臺系代工廠領銜,電子制造業外遷加速!

      今天,美方已正式將2000億美元中國輸美商品的關稅從10%上調到了25%。
      的頭像 芯智訊 發表于 05-12 11:40 ? 888次 閱讀
      臺系代工廠領銜,電子制造業外遷加速!

      三星電子欲追趕臺積電 未來競爭將升級

      據韓國Businesskorea網站5月9日報道,三星電子試圖成為代工行業領軍企業的大膽舉措,似乎正....
      的頭像 半導體動態 發表于 05-12 10:41 ? 691次 閱讀
      三星電子欲追趕臺積電 未來競爭將升級

      臺積電將為新iPhone生產A13芯片

      三款手機都將基本保持目前的外觀,但兩款高端機型將搭載三個后置攝像頭(iPhone XS和iPhone....
      的頭像 芯論 發表于 05-12 10:18 ? 783次 閱讀
      臺積電將為新iPhone生產A13芯片

      臺積電開始為新iPhone生產芯片

      該芯片被命名為A13,已于4月進入早期測試生產階段,計劃最早在本月進行量產。
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 05-12 09:39 ? 586次 閱讀
      臺積電開始為新iPhone生產芯片

      彭博社:臺積電開始為新iPhone生產A13芯片

      彭博援引知情人士透露,臺積電已開始為蘋果下一代 iPhone 生產芯片。 知情人士稱,該芯片被命名為....
      發表于 05-11 09:07 ? 289次 閱讀
      彭博社:臺積電開始為新iPhone生產A13芯片

      Intel 7nm工藝將對標臺積電5nm,計劃是2021年就投產并發布相關產品

      具體來說,14nm工藝(對標臺積電10nm)會繼續充實產能,滿足市場需求。10nm工藝(對標臺積電7....
      的頭像 滿天芯 發表于 05-10 10:27 ? 342次 閱讀
      Intel 7nm工藝將對標臺積電5nm,計劃是2021年就投產并發布相關產品

      AMD2021年或使用5納米制程來打造Zen4架構的Ryzen5000系列處理器

      根據日前 AMD 在財報發表會中的資料顯示,2019 年 AMD 要推出的 Zen 2 架構 Ryz....
      的頭像 半導體動態 發表于 05-08 17:02 ? 549次 閱讀
      AMD2021年或使用5納米制程來打造Zen4架構的Ryzen5000系列處理器

      韓國目標2030年成為綜合半導體強國,晶圓代工世界第一

      半導體企業分為只進行設計的Fabless企業、只進行生產的晶圓代工廠、兩者都有的綜合半導體企業。Fa....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 05-08 16:52 ? 590次 閱讀
      韓國目標2030年成為綜合半導體強國,晶圓代工世界第一

      快訊:邱慈云上任新昇CEO 強化與本地晶圓廠串連

      據長電科技第六屆董事會第二十三次會議報告顯示,長電科技第七屆董事會將由9名董事組成,其中,中芯國際董....
      的頭像 DIGITIMES 發表于 05-08 10:42 ? 518次 閱讀
      快訊:邱慈云上任新昇CEO 強化與本地晶圓廠串連

      三大晶圓廠12英寸訂單回升

      晶圓代工廠法說會落幕,臺積電、聯電和世界先進三大廠對本季展望透露手機芯片升溫,連帶12英寸晶圓代工訂....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 05-08 08:57 ? 387次 閱讀
      三大晶圓廠12英寸訂單回升

      N7+或專供蘋果華為!臺積電:大部分N7客戶都會直接轉向N6

      臺積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術,并預計2020年第1季度進入試產。
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 05-08 08:41 ? 410次 閱讀
      N7+或專供蘋果華為!臺積電:大部分N7客戶都會直接轉向N6

      連續第6個月負成長!臺灣出口額受半導體疲軟影響大

      臺灣5月7日公布4月出口統計,出口金額為258.3億美元,較去年同期減少3.3%,相較原先預測的降幅....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 05-08 08:35 ? 411次 閱讀
      連續第6個月負成長!臺灣出口額受半導體疲軟影響大

      益華計算機宣布已與臺積電合作 助推臺積電5納米FinFET制程技術制造交付

      Cadence客制/類比工具獲得臺積電領先業界的5納米制程技術認證,這些工具包括Spectre加速平....
      的頭像 半導體動態 發表于 05-07 16:29 ? 358次 閱讀
      益華計算機宣布已與臺積電合作 助推臺積電5納米FinFET制程技術制造交付

      新思科技宣布自家設計平臺已通過臺積電最新系統整合芯片3D芯片堆棧技術的認證

      新思科技宣布新思科技設計平臺(Synopsys Design Platform)已通過臺積電最新系統....
      的頭像 半導體動態 發表于 05-07 16:20 ? 349次 閱讀
      新思科技宣布自家設計平臺已通過臺積電最新系統整合芯片3D芯片堆棧技術的認證

      三星PK臺積電 韓國政府投資扶植韓國系統IC奪全球晶圓代工第一

      4月24日,三星電子(Samsung Electronics)提出10年133兆韓元(約1,184億....
      發表于 05-07 08:38 ? 276次 閱讀
      三星PK臺積電 韓國政府投資扶植韓國系統IC奪全球晶圓代工第一

      原中芯國際CEO邱慈云將出任上海新昇CEO!

      據悉,上海新昇由上海新陽、興森科技、張汝京技術團隊及新傲科技發起。股權幾經變化后,啟信寶顯示,目前上....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 05-06 15:28 ? 415次 閱讀
      原中芯國際CEO邱慈云將出任上海新昇CEO!

      臺積電:“7nm”工藝客戶最終將轉型至其即將推出“6nm”工藝

      即將到來的“N6”工藝節點將使用與“N7”節點相同的設計規則,使客戶更容易轉換到更新,更密集的節點。
      的頭像 滿天芯 發表于 05-06 15:27 ? 453次 閱讀
      臺積電:“7nm”工藝客戶最終將轉型至其即將推出“6nm”工藝

      高速運算芯片本季起明顯回升 下季可望更旺

      晶圓代工廠法說會落幕,臺積電、聯電和世界先進三大廠對本季展望透露手機芯片升溫,連帶12英寸晶圓代工訂....
      的頭像 半導體動態 發表于 05-06 15:02 ? 278次 閱讀
      高速運算芯片本季起明顯回升 下季可望更旺

      芯聞3分鐘:華為去年研發投入高達153億美元,臺積電慘劇沒完?

      SK海力士近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時,今年下半年....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 05-05 13:58 ? 902次 閱讀
      芯聞3分鐘:華為去年研發投入高達153億美元,臺積電慘劇沒完?

      臺積電將7nm工藝向6nm工藝制造進發,降低整體開發成本

      未來6nm將成為臺積電服務客戶的重心
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 05-05 10:02 ? 394次 閱讀
      臺積電將7nm工藝向6nm工藝制造進發,降低整體開發成本

      半導體教父張忠謀的退休生活:出書、演講,只想幫年輕人更多

      臺積電創辦人張忠謀近日受邀前往臺大演講,分享經營學習的心路歷程。在談及退休生活時他說道, 除了打橋牌....
      的頭像 MEMS 發表于 05-05 09:27 ? 476次 閱讀
      半導體教父張忠謀的退休生活:出書、演講,只想幫年輕人更多

      臺積電:大部分7nm客戶都會轉向6nm!

      5月2日消息,在本周的季度收益電話會議上,臺積電方面透露,該公司預計其大部分7nm“N7”工藝客戶最....
      的頭像 芯智訊 發表于 05-05 09:00 ? 247次 閱讀
      臺積電:大部分7nm客戶都會轉向6nm!

      臺積電將包攬ASML這批EUV光刻機中的18臺

      由于三星去年就小規模投產了7nm EUV,同時ASML(荷蘭阿斯麥)將EUV光刻機的年出貨量從18臺....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-30 17:30 ? 3812次 閱讀
      臺積電將包攬ASML這批EUV光刻機中的18臺

      臺積電宣布擴大開放創新平臺云端聯盟 將利用云端進行5納米的開發

      晶圓代工龍頭臺積電 26 日宣布,擴大開放創新平臺(Open Innovation Platform....
      的頭像 半導體動態 發表于 04-29 16:55 ? 520次 閱讀
      臺積電宣布擴大開放創新平臺云端聯盟 將利用云端進行5納米的開發

      芯聞3分鐘:聯通將在深圳等7個城市開通5G試驗網,特斯拉電動車接連“報火警”

      2019上海5G創新發展峰會暨中國聯通全球產業鏈合作伙伴大會昨天上午在上海召開。在開幕式上,中國聯通....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 04-29 13:42 ? 572次 閱讀
      芯聞3分鐘:聯通將在深圳等7個城市開通5G試驗網,特斯拉電動車接連“報火警”

      干得漂亮!臺積電兩年完成8項領先技術

      臺積電總裁魏哲家博士表示:我們最新的7納米制程已經成為推動人工智能的一項關鍵技術,讓AI嵌入在許多創....
      發表于 04-29 11:34 ? 221次 閱讀
      干得漂亮!臺積電兩年完成8項領先技術

      納米工藝、硅晶圓、知識總結

      最近,三星以及臺積電在先進半導體制程打得相當火熱,彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以爭取訂單,幾乎成了....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-29 10:35 ? 609次 閱讀
      納米工藝、硅晶圓、知識總結

      臺積電Q1財報發布,第一季度利潤出現7年來最大降幅

      蘋果手機銷售下滑,以及全球手機出現萎縮,這些因素正在沖擊中日韓的上游供應鏈。
      的頭像 芯智訊 發表于 04-28 17:38 ? 888次 閱讀
      臺積電Q1財報發布,第一季度利潤出現7年來最大降幅

      臺積電八項技術領先全球

      過去兩年,臺積電在8項先進技術、特殊技術,以及封裝技術等領域引領業界,
      的頭像 EDA365 發表于 04-28 14:53 ? 620次 閱讀
      臺積電八項技術領先全球

      臺積電突傳晶圓廠員工緊急疏散,晶圓產線供應或受影響

      值得注意的是,在2016年臺灣南部發生的6.7級地震的時候,臺灣多家電子元器件園區都全面停工,對整個....
      的頭像 半導體行業聯盟 發表于 04-26 17:53 ? 2127次 閱讀
      臺積電突傳晶圓廠員工緊急疏散,晶圓產線供應或受影響

      張忠謀去年榮退后領了多少退休金,年報也給了答案:7,617萬元

      臺積電2018年晶圓出貨量為1080萬片12英寸等效晶圓(所有晶圓產量折算為12英寸產量),同比增長....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-26 17:27 ? 1603次 閱讀
      張忠謀去年榮退后領了多少退休金,年報也給了答案:7,617萬元

      臺積電5nm架構設計試產

      (105.52 KB)
      發表于 04-24 06:00 ? 45次 閱讀
      臺積電5nm架構設計試產

      FinFET(鰭型MOSFET)簡介

      1、半導體的工藝尺寸 在我們談到半導體工藝尺寸的時候,通常對于下面的一串數字耳熟能詳:3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、...
      發表于 01-06 14:46 ? 4048次 閱讀
      FinFET(鰭型MOSFET)簡介

      論工藝制程,Intel VS臺積電誰會贏?

        SRAM,即靜態隨機存取存儲器,比我們常見的DRAM(動態隨機存取存儲器)更快,常用于CPU緩存等,也是研發測試新...
      發表于 01-25 09:38 ? 6967次 閱讀
      論工藝制程,Intel VS臺積電誰會贏?

      分析師對IC市場前景預測不同 但都看好中國

        對于2016年半導體產業營收預測以及市場的長期動力,各家分析師有非常不同的看法;他們在一場于美國舉行的晶片業高層年度聚會...
      發表于 01-14 14:51 ? 2327次 閱讀
      分析師對IC市場前景預測不同 但都看好中國

      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華

      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華 ...
      發表于 12-17 19:52 ? 9402次 閱讀
      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華

      [轉]臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果

      轉自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WL...
      發表于 05-07 15:30 ? 2647次 閱讀
      [轉]臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果
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